（2020年3月10日，德國慕尼黑和加州圣荷西訊）美國外國投資委員會（CFIUS）已根據(jù)國防生產(chǎn)法第721條款（Defense Production Act of 1950），完成對英飛凌科技股份有限公司（FSE:IFX / OTCQX:IFNNY）收購賽普拉斯半導體公司計劃的審查（該計劃于2019年6月3日宣布）。 CFIUS批準該項交易。 這項收購案仍須獲得中國國家市場監(jiān)督管理總局（SAMR）的批準，并需滿足收購協(xié)議中其他慣例成交條件。 免責聲明 本新聞稿包含與英飛凌集團有關的前瞻性敘述是基于當前信息的預測。受限于眾多不確定性和風險，因此實際發(fā)展可能與預期情況有所不同...
2021-01-02 2020年2月13日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰(zhàn)，來實現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新和組件水平的改進。“源極底置”是符合行業(yè)標準的全新封裝概念。英飛凌已推出第一批基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標桿，不僅通態(tài)電阻（RDS(on)）降低，還具有業(yè)內(nèi)領先的熱性能指標。該產(chǎn)品適合的應用非常廣泛，包括馬達驅(qū)動、SMPS（包括服務器、電信和OR-ing）和電池管理等等。 新封裝概念將源極（而非傳統(tǒng)的漏極）...
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